طراحی و تحلیل پارامتری تقویت کننده عملیاتی در تکنولوژی های CMOS و CNFET

فهرست مطالب

چکیده.. 1

فصل اول:کلیات تحقیق

1- بیان مسئله و ضرورت انجام تحقیق.. 3

1-1 تکنولوژی های مورد استفاده.. 5

1-1-1 نانولوله های کربنی. 5

1-1-2نانو سیم های سیلیکونی. 6

فصل دوم: مروری بر تحقیقات انجام شده

2-1 ساختار ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی.. 11

2-2 کاربرد نانولوله کربنی در نانو الکتریک.. 13

2-3 روشهای تولید و رشد نانولوله کربنی.. 14

2-4 ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی.. 16

2-4-1روال ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی. 18

2-5مزایای استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی 19

2-6 چالش های استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی 20

2-6-1 تغییر پذیری در قطر نانولوله های کربنی.. 21

2-6-2 تراکم بسته بندی نانولوله ها.. 23

2-6-3 فاصله بین نانولوله های کربنی مجاور و تغییر پذیری آن.. 24

2-6-4 نامرتبی در نانو لوله ها.. 24

2-6-5 وجود اتصالات SB بین سورس و درین و نانولوله ها.. 24

2-6-6 رشد ناخواسته فلز در نانو لوله ها.. 25

فصل سوم: روش تحقیق

1- مقدمه.. 27

3-1op-amp دو طبقه. 28

3-1-1 بهره حلقه باز فرکانس پایین AOLDC. 30

3-2-1 نرخ مد مشترک ورودی.. 31

3-1-3 توان مصرفی.. 32

3-1-4سویینگ خروجی.. 32

3-1-5آفست.. 32

3-2جبران سازی op-amp. 33

3-1-2حذف صفر. 43

3-2-2 جبران سازی برای عملکردهای با سرعت بالا.. 45

3-3سرعت تغییرات خروجی (Slew Rate). 51

3-4 CMRR 53

3-5PSRR. 55

3-6 خلاصه مقادیر cmos op-amp. 57

فصل چهارم: نتایج